30V-250V SGT N Channel Power MOSFET

1.Part No.：WMO105N08LG4

2.Package：TO-252

3.VDS(V)：80

4.Vgs Max(V)：±20

5.ID(A)@TA=25℃(Max.)：58

6.VGS(th)(V)(Typ.)：1.8

7.Rds(on)(mΩ)@Vgs=10V(Max.)：11

8.Rds(on)(mΩ)@Vgs=4.5V(Max.)：14

9. Datasheet

ESD&EOS Array

1.Part No.：WS6441KC

2.VRWM（V）：5.0

3.VBR（V）Min：5.6

4.Cj（PF）：0.17(typ) 0.20(max)

5.Ipp（A）：5.5

6.Vc（V）@Ipp：5.4(typ) 7.0(max)

7.IR （μA）Max：0.2

8.PPP（W）：38.5

9.MPQ(pcs)：3000

10.Package：DFN2510-10L

11. Datasheet