标准单向可控硅

1.Part No.：BT2010-600NB

2.Product series Name：/

3.Package：TO-263

4.IT(RMS)(A)：20

5.ITSM(A)：190

6.VDRM(Min)(V)：600

7.VRRM(Min)(V)：600

8.IGT(Max)(mA)：10

9.Tj(℃)：125

30V-250V SGT N Channel Power MOSFET

1.Part No.：WMB680N15LG4

2.Package：PDFN5060-8L

3.VDS(V)：150

4.Vgs Max(V)：±20

5.ID(A)@TA=25℃(Max.)：21

6.VGS(th)(V)(Typ.)：2

7.Rds(on)(mΩ)@Vgs=10V(Max.)：65

8.Rds(on)(mΩ)@Vgs=4.5V(Max.)：75

9. Datasheet