30V-250V SGT N Channel Power MOSFET

1.Part No.：WMQ028N04HG4

2.Package：PDFN3030-8L

3.VDS(V)：40

4.Vgs Max(V)：±20

5.ID(A)@TA=25℃(Max.)：120

6.VGS(th)(V)(Typ.)：3

7.Rds(on)(mΩ)@Vgs=10V(Max.)：2.8

8.Rds(on)(mΩ)@Vgs=4.5V(Max.)：/

9. Datasheet

高结温可控硅

1.Part No.：T4150H-1200E

2.Product series Name：T4150H-1200

3.Package：TO-3P ins

4.IT(RMS)(A)：40

5.ITSM(A)：400

6.VDRM(Min)(V)：1200

7.VRRM(Min)(V)：1200

8.IGT1(Max)(mA)：50

9.IGT2(Max)(mA)：50

10.IGT3(Max)(mA)：50

11.IGT4(Max)(mA)：/

12.Tj(℃)：150