碳化硅MOSFET

1.Part No.：WSCM060R65T2C

2.Package：TO-247-4L

3.BVDSS（V）：650

4.ID(A)@Tc=25℃：30

5.VGS（V）：-5~20

6.RDS(on) (mΩ)typ：60

7.Tjmx（℃）：175

30V-250V SGT N Channel Power MOSFET

1.Part No.：WMO280N10LGD

2.Package：TO-252

3.VDS(V)：100

4.Vgs Max(V)：±20

5.ID(A)@TA=25℃(Max.)：35

6.VGS(th)(V)(Typ.)：1.7

7.Rds(on)(mΩ)@Vgs=10V(Max.)：27

8.Rds(on)(mΩ)@Vgs=4.5V(Max.)：37

9. Datasheet